Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC126506Q
SILICON CARBIDE POWER DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC126506Q
NXPSC126506Q Hakkında
NXPSC126506Q, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky güç diyotudur. 650V ters voltaj ve 12A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahip olup, güç elektronikleri uygulamalarında verimli anahtarlama ve doğrultma işlemleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek sıcaklıklarda (175°C'ye kadar) çalışabilir ve sıfır reverse recovery time özelliği nedeniyle anahtarlama kayıplarını minimize eder. İleri voltaj düşüşü 1.7V @ 12A olarak belirtilmiştir. Endüstriyel invertörler, solar konvertörler, motor kontrolü ve traction uygulamalarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 380pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 12A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 80 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 12 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok