Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC10650X6Q
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220F
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC10650X6Q
NXPSC10650X6Q Hakkında
NXPSC10650X6Q, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 650V ters voltaj kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 10A ortalama doğrultma akımı kapasitesi sayesinde güç kaynağı devreleri, AC/DC dönüştürücüler ve inverter uygulamalarında tercih edilir. Sıfır ters toparlanma süresi (trr) ile hızlı anahtarlama özelliği taşır. 1.7V maksimum ileri voltaj düşüşü ve 300pF kapasitans değerleri enerji verimliliğini arttırır. TO-220-2 Full Pack izole tab paketleme ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 250 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok