Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC10650Q
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC10650Q
NXPSC10650Q Hakkında
NXPSC10650Q, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters voltaj dayanımı ve 10A ortalama düzeltme akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-2 paketinde sunulan bu doğrultucu diyot, anahtarlama güç kaynakları, fotovoltaik sistemler, elektrik aracı uygulamaları ve endüstriyel dönüştürücülerde kullanılır. 1.7V maksimum ileri gerilimi ve 0ns ters kurtarma zamanı (reverse recovery time) ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 175°C maksimum kavşak sıcaklığında çalışabilir. Through-hole montaj türü ile PCB'ye direktif monte edilir. Ürün Digi-Key'de üretilmemiş konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 250 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok