Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC10650D6J
DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC10650D6J
NXPSC10650D6J Hakkında
NXPSC10650D6J, WeEn Semiconductors tarafından üretilen 650V/10A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-252-3 (DPak) SMD paket içerisinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında hızlı doğrultma işlemi gerçekleştirir. 1.7V forward voltage ve sıfır reverse recovery time özellikleriyle düşük enerji kaybı sağlar. AC-DC konvertörler, güç kaynakları, inverter devreleri ve endüstriyel elektrik uygulamalarında kullanılır. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışır, 250µA reverse leakage current'ı vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 250 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok