Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC106506Q
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC106506Q
NXPSC106506Q Hakkında
WeEn Semiconductors tarafından üretilen NXPSC106506Q, Silicon Carbide Schottky diyot teknolojisine dayanan yüksek voltaj doğrultma uygulamaları için tasarlanmış bir diyottur. 650V ters voltaj dayanımına sahip bu bileşen, 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 1.7V maksimum ileri voltaj düşümü ve 0ns reverse recovery time ile SiC Schottky teknolojisinin avantajlarından yararlanır. TO-220-2 paketinde monte edilen komponent, 175°C'ye kadar çalışabilir ve düşük ters kaçak akımı (250µA @ 650V) sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 250 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok