Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC08650XQ
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220F
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC08650XQ
NXPSC08650XQ Hakkında
NXPSC08650XQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir Schottky diyotudur. 650V ters voltaj toleransı ve 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-2 Full Pack izole tab paketinde sunulan bu bileşen, 1.7V ileri voltaj düşüşü ve 0ns ters iyileşme süresi özellikleri sayesinde yüksek hızlı anahtarlama devreleri, SMPS (Switched Mode Power Supply) sistemleri, invertörler ve diğer güç dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. 175°C maksimum bağlantı sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 230 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok