Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC08650X6Q
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220F
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC08650X6Q
NXPSC08650X6Q Hakkında
NXPSC08650X6Q, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 650V ters gerilim değeri ile yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılmaya uygun bu bileşen, 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab paketinde sunulan diyot, 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Reverse recovery time'ı 0 ns olup, hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Forward voltage değeri 8A akımda 1.7V'tur. Güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve yüksek frekans doğrultma devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarıyla uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 230 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok