Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC08650DJ
DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC08650DJ
NXPSC08650DJ Hakkında
NXPSC08650DJ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters voltaj ve 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, ters kurtarma süresinin 0 ns olmasıyla hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 1.7V @ 8A ileri voltaj düşüşü ve 175°C maksimum operasyon sıcaklığında çalışır. Surface mount teknolojisi ile monte edilen bu diyot, güç kaynakları, inverter devreleri, solar uygulamalar ve yüksek frekanslı doğrultma işlemlerinde kullanılmaktadır. Schottky yapısı sayesinde düşük ileri voltaj düşüşü ve minimum ters geçiş akımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 230 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok