Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC08650D6J
DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC08650D6J
NXPSC08650D6J Hakkında
NXPSC08650D6J, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters voltaj ve 8A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 1.7V forward voltaj düşüşü ile çalışır. Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulur. Sıfır reverse recovery time (trr: 0ns) ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. 175°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışabilir. 260pF kapasitans değeri 1V, 1MHz koşullarında ölçülmüştür. Yüksek voltaj güç uygulamaları, AC/DC konverterler, invertörler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi elektrik dönüştürme devreleri için kullanılır. Düşük forward voltaj kaybı ve hızlı anahtarlama karakteristikleri sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 230 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok