Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC08650B6J
DIODE SCHOTTKY 650V 8A D2PAK
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC08650B
NXPSC08650B6J Hakkında
NXPSC08650B6J, WeEn Semiconductors tarafından üretilen 650V/8A kapasitesinde Silicon Carbide Schottky diyottur. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu doğrultucu diyot, forward voltajı 1.7V @ 8A ve reverse recovery time'ı 0ns olan yapısıyla düşük kayıpla çalışır. 260pF kapasitans değeri @ 1V/1MHz ile yüksek hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır. -55°C ile +175°C arasında güvenilir işletim sunan komponent, endüstriyel güç dönüştürme, solar invertör, EV şarj sistemleri ve yüksek frekanslı SMPS uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 230 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok