Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC06650BJ
DIODE SCHOTTKY 650V 6A D2PAK
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC06650BJ
NXPSC06650BJ Hakkında
NXPSC06650BJ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters gerilim kapasitesi ve 6A ortalama doğrultma akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. D2PAK (TO-263) paketinde sunulan bu bileşen, sürücü devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve PFC (Güç Faktörü Düzeltme) uygulamalarında tercih edilir. 0ns ters kurtarma süresi ile minimum EMI oluşturur. 175°C maksimum işletme sıcaklığında stabil çalışma sağlar. 1.7V tipik ileri gerilim düşüşü ile verim kaybını azaltır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 190pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok