Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC066506Q
DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC066506Q
NXPSC066506Q Hakkında
NXPSC066506Q, WeEn Semiconductors tarafından üretilen 650V 6A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı doğrultma uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.7V ileri gerilim düşüşü ve 0ns ters kurtarma süresi ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Maksimum 175°C çalışma sıcaklığına sahip olan komponent, 650V ters gerilimde 200µA sızıntı akımı ile düşük kayıp özelliği sunmaktadır. Through-hole montaj türü ile klasik PCB tasarımlarına entegre edilebilir. Güç dönüştürme, invertörler ve anahtarlanmış mod güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 190pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok