Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC04650XQ
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220F
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC04650XQ
NXPSC04650XQ Hakkında
NXPSC04650XQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters voltaj kapasitesi ve 4A ortalama doğrultulmuş akım değerlerine sahip olup, düşük forward voltage değerleri sayesinde enerji kaybını minimize eder. TO-220-2 Full Pack isolated tab paketinde sunulan bu bileşen, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, solar inverterleri ve endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 0 ns reverse recovery time özelliği ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Through hole montajı nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında kolaylıkla uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 170 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok