Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC04650X6Q
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220F
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC04650X6Q
NXPSC04650X6Q Hakkında
NXPSC04650X6Q, WeEn Semiconductors tarafından üretilen 650V/4A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı doğrultucu uygulamalarında kullanılır. 1.7V forward voltage @ 4A ile düşük enerji kaybı sağlar. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Reverse recovery time 0ns olması, hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren güç dönüştürme devreleri, invertörler ve adaptör uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. 130pF @ 1V, 1MHz kapasitans değeri ile yüksek frekans uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 170 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok