Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC04650Q
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC04650Q
NXPSC04650Q Hakkında
NXPSC04650Q, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 650V ters voltaj derecelendirilmesi ve 4A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 paketinde sağlanan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, invertörler ve elektriksel şebeke düzeltici devreleri gibi uygulamalarda yer alır. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde sıfır reverse recovery time (trr) özellikleri ile minimal enerji kaybı ve daha yüksek verimliliğe ulaşır. Maksimum uygulamada 1.7V ileri voltaj düşüşü ve 170µA ters akım sızıntısı gösterir. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 170 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok