Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC04650BJ
DIODE SCHOTTKY 650V 4A D2PAK
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC04650
NXPSC04650BJ Hakkında
NXPSC04650BJ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters voltaj ve 4A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulur. 1.7V ileri voltaj düşümü ile enerji verimliliği sağlar. Reverse recovery time'ı 0ns olması, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanım imkanı tanır. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Güç kaynakları, enerji dönüştürme sistemleri, inverter devreleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Ürün Digi-Key'de devre dışı bırakılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 170 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok