Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPSC046506Q
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPSC046506Q
NXPSC046506Q Hakkında
NXPSC046506Q, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V reverse voltage kapasitesine sahip bu bileşen, 4A ortalama doğrultulu akım sağlayabilir. TO-220-2 paketinde sunulan komponent, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Sıfır reverse recovery time karakteristiği sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder. 175°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışır. 1.7V forward voltage @ 4A ile düşük iletim kaybı sağlar. IGBT sürücüler, güç kaynakları, inverterler ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. Through-hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 170 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok