Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
NXPLQSC10650Q
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXPLQSC10650Q
NXPLQSC10650Q Hakkında
NXPLQSC10650Q, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters voltaj kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan bu diyot, 10A ortalama doğrultulmuş akım sağlar. TO-220-2 paketinde Through Hole montajı için tasarlanmıştır. 1.85V forward voltage değeri ile verimli güç dönüştürme sağlar. Sıfır reverse recovery time karakteristiği sayesinde anahtarlama hızlı ve verimlidir. 175°C maksimum jonksiyon sıcaklığında çalışabilir. Güç kaynakları, invertörler, AC/DC dönüştürücüler ve enerji yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Silicon Carbide teknolojisi düşük ısı kaybı ve yüksek frekans çalışmasına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 250pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 230 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.85 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok