IGBT Transistörler - Modüller
NXH100B120H3Q0STG
IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- NXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG Hakkında
NXH100B120H3Q0STG, onsemi tarafından üretilen 1200V/50A IGBT modülü olup, Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmıştır. 186W maksimum güç kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. 2 bağımsız konfigürasyona sahip bu modül, 2.3V (15V gate, 50A collector akımında) düşük on-state voltajı ile enerji verimliliği sağlar. Maksimum 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve -40°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır. PIM22 paketi ile şasi montajı için uygun olan bu komponent, endüstriyel sürücüler, invertörler, kaynak cihazları ve güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | 2 Independent |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200 µA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 9.075 nF @ 20 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 186 W |
| Supplier Device Package | 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5) |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok