IGBT Transistörler - Modüller
NXH100B120H3Q0PTG
IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- NXH100B120H3Q0PTG
NXH100B120H3Q0PTG Hakkında
NXH100B120H3Q0PTG, onsemi tarafından üretilen 1200V/50A IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisine dayanan bu bileşen, 2 bağımsız IGBT yapısına sahiptir ve maksimum 186W güç dağıtabilir. Vce(on) değeri 15V gate-emitter geriliminde 50A akımda 2.3V olup, düşük kontak kaybı sağlar. Collector-Emitter diyotu breakdown gerilimi 1200V'dir. 22-PIM (55x32.5mm) kasa tipi ile chassis mount uygulamalar için tasarlanmıştır. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen modül, standart giriş sürücü gereksinimleri ile endüstriyel çevirici, solar inverter ve kaynak uygulamalarında kullanılır. Input kapasitesi 20V'de 9.075nF'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | 2 Independent |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200 µA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 9.075 nF @ 20 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 186 W |
| Supplier Device Package | 22-PIM (55x32.5) |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok