Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NXH010P120MNF1PTNG
PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO
NXH010P120MNF1PTNG Hakkında
NXH010P120MNF1PTNG, onsemi tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. PIM F1 halfbridge konfigürasyonunda sunulan bu modül, 1200V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 114A sürekli dren akımı kapasitesi ve 14mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıplarla çalışma sağlar. Gövde montajı türünde paketlenmiş olan bileşen, -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sıcaklığına sahiptir. 250W maksimum güç yönetimi kabiliyeti ile industrial güç dönüştürücüleri, sürücü devreleri, UPS sistemleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (454nC @ 20V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 114A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 454nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4707pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 40mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok