Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NXH010P120MNF1PNG
PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO
NXH010P120MNF1PNG Hakkında
NXH010P120MNF1PNG, onsemi tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) tabanlı half-bridge MOSFET modülüdür. Dual N-Channel konfigürasyonunda tasarlanan bu komponent, 1200V yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. 114A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 14mΩ @ 100A/20V RDS(on) değeri ile düşük kayıp karakteristiği sağlar. Gate charge 454nC @ 20V, input capacitance ise 4707pF @ 800V'tur. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu modül, chassis mount tipi pakette sunulur ve 250W maksimum güç dağıtımı yapabilir. Güç elektroniği uygulamaları, invörter devreleri, motor kontrol sistemleri ve enerji dönüşüm sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 114A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 454nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4707pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 40mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok