Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NVMFWD030N06CT1G
MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- NVMFWD030N06CT1G
NVMFWD030N06CT1G Hakkında
NVMFWD030N06CT1G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V Vdss (Drain-Source voltajı) ile tasarlanan bu bileşen, SO8FL (8-DFN 5x6) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 7A sürekli akım (Ta) ve 19A (Tc) kapasitesiyle, 29.7mOhm Rds(on) değeri ile düşük anahtarlama kaybı sağlar. Gate charge değeri 4.7nC olup, hızlı komutasyon uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve diğer güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 3.2W (Ta) ve 23W (Tc) maksimum güç dağılımı kapasitesi ile hassas kontrol gerektiren devrelerde güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta), 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 255pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.2W (Ta), 23W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29.7mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 13µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok