Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NVMFWD024N06CT1G

MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFWD024N06CT

NVMFWD024N06CT1G Hakkında

NVMFWD024N06CT1G, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 8A sürekli dren akımı (Ta) veya 24A (Tc) ile tasarlanmıştır. SO8FL (8-DFN 5x6 Dual Flag) paketinde sunulan bu bileşen, 22.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 5.7nC ve input capacitance 333pF olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 333pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22.6mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 20µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok