Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NVMFWD020N06CT1G
MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- NVMFWD020N06CT
NVMFWD020N06CT1G Hakkında
NVMFWD020N06CT1G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj derecesi ve 8A (Ta) / 27A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşenidir. 20.3mOhm (Rds On) on-state direnç değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. SO8FL (8-PowerTDFN) yüzey montajlı paketlemesi, kompakt tasarımlar ve yüksek entegrasyon gerektiren endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama güç devreleri gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 355pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20.3mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok