Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NVMFWD016N06CT1G
MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- NVMFWD016N06CT
NVMFWD016N06CT1G Hakkında
NVMFWD016N06CT1G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilim desteği ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Düşük RDS(on) değeri (16.3mOhm @ 5A, 10V) ile verimli anahtarlama sağlar. 9A (25°C) / 32A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesi bulunur. Gate charge karakteristiği (6.9nC @ 10V) hızlı komütasyon gerektiren devrelerde kullanımı mümkün kılar. -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir çalışır. Motor kontrolü, DC/DC dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve enerji yönetimi uygulamalarında tercih edilir. SO8FL (8-PowerTDFN, 5x6mm) yüksek entegrasyon sağlayan kompakt yüzey montajlı pakette sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 32A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 489pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.3mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok