Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NVMFD5C650NLWFT1G

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFD5C650NL

NVMFD5C650NLWFT1G Hakkında

NVMFD5C650NLWFT1G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source gerilimi ve 111A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 4.2mOhm (10V, 20A) düşük on-direnci sayesinde enerji verimliliği sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN (5x6 DFN) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 16nC gate charge ve 2546pF input capacitance parametreleri hızlı anahtarlama operasyonlarına olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta), 111A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2546pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 98µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok