Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NVMFD5C650NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFD5C650NL

NVMFD5C650NLT1G Hakkında

NVMFD5C650NLT1G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ile tasarlanmış olup, 111A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Surface mount 8-PowerTDFN pakajında sunulan bu bileşen, 4.2mΩ on-state direnci ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Yüksek anahtarlama hızı ve düşük geçiş kayıpları ile DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç kaynağı tasarımlarında yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir ve 125W maksimum güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta), 111A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2546pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 98µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok