Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NVMFD5875NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFD5875

NVMFD5875NLT1G Hakkında

NVMFD5875NLT1G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 7A sürekli drain akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olması, düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışmasını sağlar. 33mOhm'luk RDS(on) değeri ile sürücü, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. Surface mount 8-DFN paketi kompakt tasarımlara uygunken, geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmesini destekler. Düşük gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power - Max 3.2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok