Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NVMFD5873NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFD5873

NVMFD5873NLT1G Hakkında

NVMFD5873NLT1G, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 10A sürekli drain akımı ile kompakt SO8FL paketinde sunulur. Logic level gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 13mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 3.1W maksimum güç dağıtımı kapasitesi vardır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Last Time Buy statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1560pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Last Time Buy
Power - Max 3.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok