Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NVMFD020N06CT1G

MOSFET N-CH 60V 8DFN 5X6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFD020N06CT1G

NVMFD020N06CT1G Hakkında

NVMFD020N06CT1G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj desteği ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8A (Ta) / 27A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ve 20.3mOhm düşük RDS(on) direnci ile anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. 3.1W (Ta) / 31W (Tc) maksimum güç dissipasyonu, -55°C ~ 175°C geniş sıcaklık aralığı ve Surface Mount 8-DFN (5x6) paketi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur. Motor kontrol, DC-DC konvertörler, load switches ve güç dağıtım uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta), 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 355pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.3mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 20µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok