Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NVMFD016N06CT1G

MOSFET N-CH 60V 8DFN 5X6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NVMFD016N06CT

NVMFD016N06CT1G Hakkında

NVMFD016N06CT1G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilim derecelendirilmesi ile güç anahtarlama ve doğrultucu uygulamalarında kullanılır. 8-PowerTDFN paket içinde iki adet N-channel kanalı barındırır. 9A sürekli drenaj akımı (Ta 25°C'de) ve 32A (Tc 25°C'de) kapasitesi bulunan bu bileşen, 16.3mΩ Rds(on) değeri ile düşük gerilim düşüşü sağlar. Gate charge 6.9nC ve input capacitance 489pF karakteristikleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun hale getirir. -55°C ile 175°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve anahtarmalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 489pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.3mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok