Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NVMD6P02R2G
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
NVMD6P02R2G Hakkında
NVMD6P02R2G, onsemi tarafından üretilen 2 P-Channel MOSFET dizisidir. 20V Drain-Source gerilimi ve 4.8A sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. Logic Level Gate (Mantık Seviyesi Kapı) özellikleri sayesinde düşük gerilim kontrol sistemleriyle doğrudan kullanılabilir. 33mOhm maksimum On-State Direnci (4.5V gate voltajında) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 35nC gate charge karakteristiği ile hızlı komütasyon sağlayan bu bileşen, 8-SOIC SMD paketinde sunulmaktadır. Power MOSFET uygulamalarında, yük anahtarlaması, motor kontrol, güç yönetimi ve switching regülatörlerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 750mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok