Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NVMD6N04R2G
MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC
NVMD6N04R2G Hakkında
NVMD6N04R2G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 40V Vdss ve 4.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük gate charge (30nC @ 10V) ve düşük RDS(on) (34mOhm @ 10V) özellikleriyle karakterizedir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Input Capacitance değeri 900pF @ 32V'dur. Threshold voltajı 3V @ 250µA olan bu bileşen, maksimum 1.29W güç tüketimiyle çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 32V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 1.29W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok