Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NVMD6N03R2G
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
NVMD6N03R2G Hakkında
NVMD6N03R2G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltaj ve 6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük kontrol voltajlarında (Vgs 2.5V @ 250µA) çalışabilir. 32mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 8-SOIC yüzey montajı paketinde sunulur. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Motor sürücüleri, güç yönetimi, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük gate şarjı (30nC @ 10V) hızlı anahtarlama özelliği sunar. (Not: Ürün obsolete statüsündedir)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 24V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.29W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok