Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NVMD3P03R2G
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- NVMD3P03R2G
NVMD3P03R2G Hakkında
NVMD3P03R2G, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. Small signal FET kategorisinde yer alan bu komponent, 30V drain-source voltaj ve 2.34A continuous drain akımı özellikleriyle tasarlanmıştır. 85mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC SMD paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 25nC gate charge ve 750pF input capacitance değerleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç amplifikatörleri, anahtarlama devre tasarımları ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.34A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 24V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 730mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 3.05A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok