Özel Amaçlı Transistörler

NUS5530MNR2G

IC MOSFET W/PNP SW TRANS 8-DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
NUS5530

NUS5530MNR2G Hakkında

NUS5530MNR2G, onsemi tarafından üretilen genel amaçlı MOSFET entegre devresini içeren bir bileşendir. 8-VDFN (3.3x3.3mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu IC, NPN ve P-Channel transistör yapılarını barındırır. PNP konfigürasyonda 2A ve P-Channel konfigürasyonda 3.9A akım kapasitesine sahiptir. PNP tarafında 35V, P-Channel tarafında 20V nominal çalışma gerilimi ile tasarlanmıştır. Anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu gerektiren analog ve dijital uygulamalarda, özellikle kompakt PCB tasarımlarında kullanılır. Exposed pad tasarımı ısı yönetimini iyileştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Applications General Purpose
Current Rating (Amps) 2A PNP, 3.9A P-Channel
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad
Part Status Active
Supplier Device Package 8-DFN (3.3x3.3)
Transistor Type NPN, P-Channel
Voltage - Rated 35V PNP, 20V P-Channel

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok