Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTZD5110NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 294MA SOT563
NTZD5110NT1G Hakkında
NTZD5110NT1G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. SOT-563 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 60V drain-source voltajı ve 294mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük kontrol voltajlarında çalışabilir. 1.6Ω maksimum on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, analog sinyal anahtarlaması, güç yönetimi uygulamaları, portable cihazlar ve düşük voltajlı DC-DC dönüştürücülerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 294mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 24.5pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok