Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTZD3158PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
NTZD3158PT1G Hakkında
NTZD3158PT1G, onsemi tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. SOT-563 yüksek yoğunluk paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source voltajında 430mA continuous drain akımı kapasitesine sahiptir. 900mΩ on-resistance ve 250mW maksimum güç derecelendirmesi ile anahtarlama uygulamalarında ve düşük seviyeli sinyal yönetiminde tercih edilir. Geniş kapılar arası kapasite ve düşük geçiş yükü (Qg), hızlı anahtarlama için optimize edilmiştir. Mobil cihazlar, pil yönetim sistemleri ve multi-channel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Dual yapısı, kompakt tasarımlar için alan tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 430mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175pF @ 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 430mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok