Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTZD3155CT1H
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
NTZD3155CT1H Hakkında
NTZD3155CT1H, onsemi tarafından üretilen dual MOSFET transistördür. N-channel ve P-channel kanalları aynı kapsülde içerir. 20V drain-source gerilim ile 540mA (N-ch) ve 430mA (P-ch) sürekli dren akımı sağlayabilir. SOT-563 yüzey montajlı paket ile uygulamalara entegre edilir. 550mOhm on-resistance ve düşük gate charge özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında, sürücü devrelerde ve kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 250mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 540mA, 430mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 540mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok