Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTTFD9D0N06HLTWG
MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 12-PowerWQFN
- Seri / Aile Numarası
- NTTFD9D0N06HLTWG
NTTFD9D0N06HLTWG Hakkında
NTTFD9D0N06HLTWG, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj desteği ve 9A sürekli drain akımı kapasitesi ile gücü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerTrench teknolojisi ile üretilen bu komponentin RDS(on) değeri 10V gate gerilimde 9mOhm olarak belirtilmiştir. 12-WQFN (3.3x3.3mm) yüzey montajlı pakette sunulan transistör, düşük kapı yükü (13.5nC) ve düşük giriş kapasitansı (948pF) özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi sistemleri ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponentin maksimum güç dağılımı Ta'da 1.7W, Tc'de 26W'tır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 38A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 948pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 12-PowerWQFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.7W (Ta), 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 12-WQFN (3.3x3.3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok