Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTTFD2D8N03P1E
MOSFET N-CH 30V 12WQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 12-PowerWQFN
- Seri / Aile Numarası
- NTTFD2D8N03P1E
NTTFD2D8N03P1E Hakkında
NTTFD2D8N03P1E, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ile 16.1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 2.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 12-PowerWQFN (3.3x3.3mm) yüzey montajlı pakette sunulur. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetim sistemlerinde tercih edilir. 20.8nC gate charge ve 1500pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.1A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 12-PowerWQFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.04W (Ta), 26W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | 12-WQFN (3.3x3.3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 400µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok