Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NTMFD6H852NLT1G

MOSFET N-CH 80V 8DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFD6H852NL

NTMFD6H852NLT1G Hakkında

NTMFD6H852NLT1G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj derecesi ve 295mA sürekli drenaj akımı ile çalışabilir. 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, 1.6Ω (10V, 500mA) düşük on-state direnci sayesinde enerji verimliliği gerekli uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen komponentin maksimum 250mW güç tüketimi vardır. Gate charge değeri 5nC (@4.5V) olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. Motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç anahtarlaması ve genel dijital/analog kontrol devrelerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 295mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok