Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NTMFD4C86NT3G

MOSFET 2N-CH 30V 11.3/18.1A 8DFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
NTMFD4C86NT3G

NTMFD4C86NT3G Hakkında

NTMFD4C86NT3G, onsemi tarafından üretilen 2 adet N-Channel MOSFET'i içeren asymmetrical dizi transistördür. 30V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 11.3A ile 18.1A arasında sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 5.4mΩ (10V, 30A koşullarında) düşük on-direnç değeri ve 22.2nC gate yükü (10V) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-PowerTDFN (5x6mm) SMD paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, solenoid kontrolleri, güç yönetimi devrelerinde ve akü anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Ürün üretimi sonlandırılmış (obsolete) olduğundan yeni tasarımlarda alternatif seçim önerilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.3A, 18.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1153pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power - Max 1.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok