Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTMFD4C86NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- NTMFD4C86NT1G
NTMFD4C86NT1G Hakkında
NTMFD4C86NT1G, onsemi tarafından üretilen çift N-kanallı (dual asymmetrical) MOSFET transistördür. 30V Vdss ile tasarlanan bu bileşen, 11.3A ve 18.1A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerTDFN paket tipinde sunulan bu transistör, 5.4mOhm kanal direnç değeri ile düşük güç kaybı uygulamalarında kullanılır. Gate charge 22.2nC olarak belirtilmiş, input kapasitansi ise 1153pF'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen MOSFET, switching uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC konverter tasarımlarında yer alabilir. 1.1W maksimum güç dissipasyonu ile orta güç seviyesi uygulamalar için uygundur. Not: Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.3A, 18.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1153pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok