Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTMFD4C20NT3G
MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- NTMFD4C20NT
NTMFD4C20NT3G Hakkında
NTMFD4C20NT3G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim ile tasarlanan bu bileşen, 9.1A ve 13.7A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SO8FL (8-PowerTDFN) surface mount paketi ile sağlanan komponentin maksimum gate charge değeri 4.5V'ta 9.3nC'dir. 7.3mOhm on-state resistance (Rds) özelliği ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu çift transistör yapısı, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve RF amplifikatör gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.1A, 13.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.09W, 1.15W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok