Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTMFD1D4N02P1E
MOSFET N-CH 20V 8PQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Seri / Aile Numarası
- NTMFD1D4N02P1E
NTMFD1D4N02P1E Hakkında
NTMFD1D4N02P1E, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain to Source voltajına sahip bu bileşen, asimetrik konfigürasyonda tasarlanmıştır. 8-PowerWDFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Düşük on-state direnci (RDS(on)) 1.1mOhm ile 3.3mOhm arasında değişmekte olup, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor sürücülerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 13A ile 155A arasında sürekli dren akımı kapasitesi sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 960mW (Ta), 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA, 2V @ 800µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok