Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTMD6P02R2SG
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
NTMD6P02R2SG Hakkında
NTMD6P02R2SG, onsemi tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V Drain-Source gerilimi ve 4.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 33mOhm Rds(on) değeri ile düşük açılış direncine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 35nC ve giriş kapasitanası 1700pF'dir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde ve kontrol sistemlerinde kullanılır. Maksimum 750mW güç tüketimi ile enerji verimli tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 750mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok