Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTMD6P02R2G
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
NTMD6P02R2G Hakkında
NTMD6P02R2G, onsemi tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source voltaj derecelendirilmesi ve 4.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleri ile çalıştırılabilir. 33mOhm RDS(on) değeri ile açık durumda düşük ısı kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile kompakt uygulamalara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motorlar ve solenoid kontrol devreleri başta olmak üzere çeşitli analoglar ve dijital sistemlerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 750mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok