Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTMD6N04R2G
MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
NTMD6N04R2G Hakkında
NTMD6N04R2G, onsemi tarafından üretilen 8-SOIC paketinde Logic Level Gate özelliğine sahip dual N-channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilimi ve 4.6A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 34mΩ RDS(on) değeri düşük geçiş direnci sağlar. 10V gate voltajında maksimum 30nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özellikleri sunur. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü devrelerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 32V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.29W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok